击穿电压V(BR)器件在发生击穿的区域内,在规定的试验电流I(BR)下,测得器件两端的电压称为击穿电压,在此区域内,二极管成为低阻抗的通路。
TVS瞬态电压抑制这里不论TV是如何产生的,比如直接或者间接的雷击,静电放电,大容量的负载投切等因素导致的浪涌.电压从几伏到几十千伏甚至更高.
肖特基二极管是一种半导体器件,与普通二极管相比,它的电压降低和回复时间更短,因此在许多电路中都被广泛应用。肖特基二极管有三个引脚,其中两个为正极,一个为负极,这就是三端型的设计。在本文中,我们将详细介绍肖特基二极管的三端型设计及其接法